Ceramic substrates

GN electronics supplies high-quality ceramic substrates, both in standard design and according to your specification. All products undergo a full range of tests by GOST and company product specification, as well as MIL and Telcordia standards, and are confirmed by quality certificates. The offered products are widely used in microelectronics, power electronics, electronic industry. For several materials, the company has developed and approved specifications that reflect the technical characteristics and requirements for products, production control methods, and acceptance rules.

The company works with materials:

  • Vacuum-tight oxide ceramics AL2O3 94.0% (VK-94DN), 96.0% (VK- 96DN), 99.6% (VK-100DN) (Analogues: VK94, VK96, VK100, leucosapphire);
  • Aluminum nitride ALN-170, 200, 230;
  • Beryllium oxide BeO 97% (OBK-97), 99% (OBK-100);
  • Silicon carbide (reaction bonded, reaction sintered) (see section piezoceramics and crystals);
  • Silicon nitride Si3N4;
  • Ceramics based on zirconium oxide ZrO2;
  • As well as a group of ceramic materials with high dielectric constant (microwave ceramics).

Main specifications

Properties

Main materials

High strength

High thermal conductivity

 

 

AL203 96,0%

AL2O3 99,6%

Si3N4

ZrO2

AIN-170

AIN-200

AIN-230

BeO 99%

Color

 

White

White

Gray

White

Gray

Gray

Gray

Gray

Bulk density

г/см3

3,76

3,75

3,21

3,95

3,30

3,28

3,25

2,85

Surface roughness Ra (grinding)

мкм

0,2-0,7

0,3-0,5

-

0,2

0,3-0,5

0,3-0,5

0,3-0,5

0,5

Surface roughness Ra (polished)

мкм

-

<0,05

-

<0,05

<0,05

<0,05

<0,05

<0,01

Flexural strength

МПа

≥ 350

≥ 500

900

1200

≥ 380

≥ 380

≥ 350

≥ 180

Elastic modules

ГПа

330

330

315

200 ~ 250

320

320

320

345

Vickers hardness

ГПа

14

16

11

11

11

11

Coefficient of thermal expansion

10-6 /°C

6,5~8,0

6,2~8,2

3,1

10,3

2,0~3,5

4,6~5,2

7,0~8,5

Thermal conductivity (25 С)

Вт/м∙K

≥ 24

≥ 30

19

≥ 170

≥ 200

≥ 230

≥ 230

Specific heat

Дж/кг∙К

750

750

3,1

400

720

720

720

Dielectric constant (1МГц)

9 ~ 10

10

8 ~ 10

8 ~ 10

8,5

6,5 ~ 7,3

Dielectric loss (tan delta) (1МГц)

∙10-4

2

2

2

2

3

≤ 4

Dielectric strength (DC)

кВ/мм

≥ 17

≥ 15

≥ 17

≥ 17

≥ 15

≥ 18

Volume resistivity (25 C)

Ом∙см

≥ 1014

≥ 1014

≥ 1014

≥ 1014

≥ 1013

≥ 1013

≥ 1013

≥ 1014

СОВМЕСТИМОСТЬ С ТЕХНОЛОГИЯМИ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

DBC

Новый проект (50).png

-

-

-

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

-

-

Thin-films technology 

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Thick-films technology

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Distance between scribing lines

мм

1±0,05

1±0,05

1±0,05

1±0,05

1±0,05

Minimum hole diameter

мм

0,1±0,05

0,1±0,05

0,1±0,05

0,1±0,05

0,2±0,05

Thickness

мм

0,2 ~ 2,0

≤ 0,635

0,385 ~ 1,500

0,385 ~ 1,500

0,25 ~ 1,00

Thickness tolerance, min

мм

± 0,03

± 0,04

± 0,03

± 0,03

±10%, не менее ±0,04 мм

Dimensions, max

мм

139,7 x 190,5

120 x 120

127 x 127

127 x 127

177,8 x 127

Dimensions tolerance, min

мм

(+0,15 / -0,05)

±0,1; ±2

(+0,15 / -0,05)

(+0,15 / -0,05)

±1%, не менее ±0,1 мм