Керамические подложки на основе нитрида алюминия [AlN]

Выпускаемая высококачественная продукция изготавливается из керамики на основе нитрида алюминия AlN согласно ТУ 23.43.10.110-002-34576770-2016-ДН.

 

Главное достоинство подложек, изготовленных на основе AlN, – это высокая теплопроводность, варьирующаяся в диапазоне от 170 до 230 Вт/оК. Именно поэтому керамика на основе AlN используется в случаях, когда необходим отвод значительных объемов выделяемого тепла. Также, AlN обладает высокой чистотой структуры и химической однородностью.

 

Преимущества нитрида аллюминия:
• Высокая теплопроводность;
• Инертность к воздействию почти всех видов кислот (исключение составляют горячие минеральные виды);
• Высокие диэлектрические показатели;
• Совместимость практически со всеми технологиями металлизации.

 


     

 

Другие материалы:

 

 

   

Характеристики

Свойства Материал
AlN-170 AlN-200 AlN-230
Цвет серый серый серый
Объемная плотность г/см3 3,30 3,28 3,25
Шероховатость шлифованной поверхности (Ra) мкм 0,3-0,5 0,3-0,5 0,3-0,5
Шероховатость полированной поверхности (Ra) мкм < 0,05 < 0,05 < 0,05
Механические характеристики
Прочность на изгиб МПа 450 250 200
Модуль упругости ГПа 320 320
Твердость кг/мм 2 11 11
Физические характеристики
Коэффициент теплового расширения (40-800°C) 10 -6 /°C 5,4 5,4 9,0
Теплопроводность (25°C) Вт/м∙°K 180 200 230
Удельная теплоемкость Дж/Кг∙°К 720 720 750
Диэлектрическая постоянная (1 МГц) - 9,0 9,0 9,8
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C) 10 -4 3 3 3
Технологические характеристики
DBC технология
(Cu 127 - 450 мкм, защитные покрытия)
Толстопленочная технология
(Ag, Au, Ag-Pd, Ag-Pd-Pt, Ni - 12-100 мкм)
Тонкопленочная технология
(проводники по запросу)
Расстояние между линиями скрайбирования, мм 2,00 ± 0,05
Минимальный диаметр отверстий, мм 0,20 ± 0,05

Область применения

Керамика, изготовленная на основе нитрида алюминия ALN, имеет достаточно широкую область применения и позволит Вам эффективно решать задачи, независимо от уровня сложности:

 

- заготовка для керамических печатных плат, требующих высоких показателей надежности;

- изготовление подложек для полупроводников;
- в качестве теплопоглощающего элемента в светодиодных схемах и высокомощных электронных приборах;
- основание для высокочастотных резисторов и в качестве корпусов для различных схем;
- подложка для лазерных диодов, полупроводниковых кристаллов;
- для изготовления датчиков и других приборов, эксплуатируемых в тяжелейших условиях и т.д.