Керамические подложки на основе нитрида кремния [Si3N4] и карбида кремния [SiC]

             

Нитрид кремния [Si3N4] и карбид кремния [SiC] используется в структурах, где необходима высокая прочность изделия и его устойчивость к высоким перепадам температур.

 

Благодаря своим механическим показателям, изделия изготовленные с использованием нитрида или карбида кремния, отлично выдерживают условия длительного термоциклирования, испытания при усиленном трении, а также взаимодействие с агрессивными средами. 

 

 

 
 

 

 

Другие материалы:

 

     

 

Характеристики

Свойства Материал
Si3N4 SiC+Si SiC+Si+C SiC
Цвет серый бурый бурый бурый
Объемная плотность г/см3 3,21 3,05-3,07 3,00-3,05 3,10-3,15
Шероховатость шлифованной поверхности (Ra) мкм
Шероховатость полированной поверхности (Ra) мкм
Открытая пористость % 0 0 2
Механические характеристики
Прочность на изгиб МПа 750 320-350 270-300 380-410
Модуль упругости ГПа 350 340 310 370
Твердость кг/мм 2 14 25-30 25-30 25-30
Физические характеристики
Коэффициент теплового расширения (40-800°C) 10 -6 /°C 2,7 3,4-4,9 3,5-5,0 3,0-4,6
Теплопроводность (25°C) Вт/м∙°K 55 120 130 110
Удельная теплоемкость Дж/Кг∙°К 720
Диэлектрическая постоянная (1 МГц) - 8,5
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C) ∙10 -4 3
Температура эксплуатации
(окислительная среда)
°C 1350 1350 1500
Температура эксплуатации
(восстановительная среда)
°C 1350 1350 1800
Технологические характеристики
DBC технология
(Cu 127 - 450 мкм, защитные покрытия)
Толстопленочная технология
(Ag, Au, Ag-Pd, Ag-Pd-Pt, Ni –  от12 до 100 мкм)
Тонкопленочная технология
(проводники по запросу)
Расстояние между линиями скрайбирования, мм 0,20 ± 0,05
Минимальный диаметр отверстий, мм 0,20 ± 0,05

Область применения

Керамические подложки на основе нитрида или карбида кремния обладают высокими показателями износостойкости и механической прочности. Создаваемые платы на основе керамики нитрида или карбида кремния находят свое применение в следующих областях:

 

- в качестве изолятора;

- изготовления запоминающих устройств;

- производство интегральных схем;

- более надежная и прочная альтернатива для оксида алюминия (Al2O3);

- основание для изготовления плат высокомощной электроники;

- подложки для датчиков, электронных приборов, которые эксплуатируются в условиях воздействия агрессивных сред и т.д.