Керамические подложки на основе оксида алюминия [Al2O3]

Керамические подложки, изготовленные из оксида алюминия Al2O3, являются основой для создания гибридных интегральных схем (ГИС), керамических конденсаторов, резисторов и других полупроводниковых элементов и электротехнических изделий. 


Вакуум-плотная корундовая керамика устойчива к воздействию различных кислот и других агрессивных сред, является отличным прочным изолятором. Подложки из Al2O3 не теряют свои эксплуатационные качества при резких перепадах температуры.

 

Выбор нужного материала зависит от дальнейшего использования подложек. Важную роль играет процентное содержание оксида алюминия в общем объеме и его кристаллическая решетка.

 

По содержанию оксида алюминия, различают подложки: 

 

1. Al2O3 94,4% (ВК-94ДН) - розовая керамика. Аналоги ВК94, ВК94-1;

 

2. Al2O96,0% (ВК-96ДН) - выпускается под ТУ23.43.10.110-001-34576770-2017-ДН. Белая керамика. Аналоги ВК96, Rubalit™ ;

 

3. Al2O99,6% (ВК-100ДН) - выпускается согласно ТУ 23.43.10-004-34576772-2017. Белая керамика. Аналоги ВК100, ВК100-1, ВК100-2, керамика Поликор™

 

 

 

Другие материалы:

 

Характеристики

Свойства Материал

Al2O94,4%

(ВК-94ДН)

Al2O3 96,0%

(ВК-96ДН)

Al2O99,6%

(ВК-100ДН)

Цвет розовый белый белый
Объемная плотность г/см3 3,60 3,76 3,75
Шероховатость шлифованной поверхности (Ra) мкм - 0,2-0,7 0,3-0,5
Шероховатость полированной поверхности (Ra) мкм - - < 0,01
Механические характеристики
Прочность на изгиб МПа 280 450 450
Модуль упругости ГПа - 340 340
Твердость кг/мм 2 - 14 14
Физические характеристики
Коэффициент теплового расширения (40-800°C) 10 -6 /°C 6,5 - 7,5 7,8 7,8
Теплопроводность (25°C) Вт/м∙°K 15 - 20 25 30,7
Удельная теплоемкость Дж/Кг∙°К - 750 780
Диэлектрическая постоянная (1 МГц) - 9,0 - 10,0 9,8 9,9
Диэлектрические потери (1МГц, 25°C) ∙10 -4 4 3 3
Технологические характеристики
DBC технология
(Cu 127 - 450 мкм, защитные покрытия)
Толстопленочная технология
(Ag, Au, Ag-Pd, Ag-Pd-Pt, Ni – от 12 до 100 мкм)
Тонкопленочная технология
(проводники по запросу)
Расстояние между линиями скрайбирования, мм 2,00 ± 0,05 
Минимальный диаметр отверстий, мм 0,20 ± 0,05 

Область применения

- силовая электроника, преобразовательная техника (устройства радиосвязи, оборудование для телевещания, медицинское электрооборудование и др.);

- изоляционные прокладки для отвода тепла от электронных компонентов к радиатору охлаждения;

- протекторы для элементов пьезоэлектрических преобразователей;

- автоэлектроника (мультиплицированные платы для резисторов, реостатов, датчики уровня топлива, давления, светодиодные фары, электроусилители руля, системы ABS, ASR и др.)

- прецизионные подложки для СВЧ ГИС и микросборок с высокой плотностью отверстий и углублениями для кристаллов;

- носители схем датчиков отравляющих веществ, ионизирующего излучения, магнитного поля и др.;

- полупроводниковая промышленность (термоэлектрические модули и устройства отвода тепла, аналитическое оборудование, источники беспроводного питания,   энергоэффективные системы утилизации бросового тепла, радиоэлектронные, лазерные и оптические системы, светодиоды (энергосберегающие технологии), IGBT-модули.