Керамические подложки на основе карбида кремния (SiC)
Карбид кремния - материал обладающий высокой твердостью, стойкостью и способностью работать при повышенных температурах (до 600 С). Кроме того обладает высокой электрической прочностью и большой шириной запрещенной зоны (больше чем у чистого кремния). Этот материал применяется как для повышения износостойкости движущихся элементов, так и в качестве броне материала.
Характеристики
|
Свойства |
Профиль SiC |
||
|
SiSiC (Reaction Bonded Silicon Carbide) |
SSiC (Direct Sintered Silicon Carbide |
||
|
Цвет |
черный |
черный |
|
|
Объемная плотность |
г/см3 |
≥ 3,02 |
≥ 3,10 |
|
Прочность на изгиб |
МПа |
≥ 250 |
≥ 400 |
|
Модуль упругости |
ГПа |
≥ 300 |
≥ 420 |
|
Коэффициент теплового расширения |
10-6 /°C |
4,5 |
4,1 |
|
Теплопроводность |
Вт/м∙K |
45 |
74 |
|
Сопротивление тепловому удару |
°C |
400 |
300 |
|
Максимальная температура эксплуатации |
°C |
1380 |
1600 |
Область применения
- высоковольтные диоды шотки;
- n-МОП ранзисторы;
- теристоры;
- создание светодиодов;
- броне пластины;
- создание упрочняющих и износостойких элементов;
- абразивные материалы.