Керамические подложки на основе оксида алюминия (Al2O3)

Керамические подложки на основе оксида алюминия (Al2O3)

Новый проект (19).png

Керамические подложки, изготовленные из оксида алюминия Al2O3, являются основой для создания гибридных интегральных схем (ГИС), керамических конденсаторов, резисторов, нагревателей, различных  полупроводниковых элементов и электротехнических изделий.

Сырье для производства вакуумплотной керамики Al2O3 - корунд, поэтому керамика часто называется не только "алюмооксидом", но и корундовой керамикой.  Вакуум-плотная корундовая керамика устойчива к воздействию различных кислот и других агрессивных сред, является отличным прочным изолятором. Подложки из Al2O3 не теряют свои эксплуатационные качества при резких перепадах температуры.

Важную роль играет процентное содержание оксида алюминия в общем объеме и его кристаллическая решетка. Именно они определяют его будущие эксплуатационные характеристики, такие как теплопроводность, твердость, прочность на изгиб, коэффициент удельного расширения и другие. 

Характеристики

Свойства

Материал

Al2O94,4%

(ВК-94ДН)

Al2O3 96,0%

(ВК-96ДН)

Al2O99,6%

(ВК-100ДН)

Цвет

розовый

белый

белый

Объемная плотность

г/см3

3,60

3,70

3,90

Шероховатость шлифованной поверхности (Ra)

мкм

-

0,2-0,7

0,1

Шероховатость полированной поверхности (Ra)

мкм

-

≤ 0,03

≤ 0,05

Механические характеристики

Прочность на изгиб

МПа

280

350

500

Прочность на сжатие

МПа

 

 

450

Модуль упругости

ГПа

-

330

330

Твердость по Виккерсу

ГПа

-

14

16

Вязкость разрушения

 

-

-

-

 

Физические характеристики

Коэффициент теплового расширения (40-300°C)

10 -6 /°C

6,5 - 7,5

6,5 ~ 7,5

6,2 ~ 7,2

Коэффициент теплового расширения (300-800 С)

 

 

6,5 ~ 8,0

6,5 ~ 8,2

Теплопроводность (25°C)

Вт/м∙°K

15 - 20

≥ 24

≥ 30

Удельная теплоемкость

Дж/Кг∙°К

-

750

750

Диэлектрическая прочность

 

 

≥ 17

≥ 15

Объемное сопротивление (25 С)

 

 

≥ 1014

≥ 1014

Диэлектрическая постоянная (1 МГц)

-

9,0 - 10,0

9 ~ 10

10

Диэлектрические потери (1МГц, 25°C)

∙10 -4

4

2

2

Геометрические размеры

Расстояние между линиями скрайбирования, мм

 

 

1±0,05

1±0,05

Минимальный диаметр отверстия, мм

 

 

0,1±0,05

0,1±0,05

Толщина, мм

 

 

0,2 ~ 2,0

≤ 0,635

Допуск на толщину (min), мм

 

 

± 0,03

± 0,04

Габариты (max), мм

 

 

139,7 x 190,5

120 x 120

Допуск на габариты (min), мм

 

 

(+0,15 / -0,05)

±0,1; ±2

Технологические характеристики

DBC технология

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

-

Толстопленочная технология

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Тонкопленочная технология

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png

Новый проект (50).png



Область применения


  • силовая электроника, преобразовательная техника (устройства радиосвязи, оборудование для телевещания, медицинское электрооборудование и др.);
  • изоляционные прокладки для отвода тепла от электронных компонентов к радиатору охлаждения;
  • протекторы для элементов пьезоэлектрических преобразователей;
  • автоэлектроника (мультиплицированные платы для резисторов, реостатов, датчики уровня топлива, давления, светодиодные фары, электроусилители руля, системы ABS, ASR и др.)
  • прецизионные подложки для СВЧ ГИС и микросборок с высокой плотностью отверстий и углублениями для кристаллов;
  • носители схем датчиков отравляющих веществ, ионизирующего излучения, магнитного поля и др.;
  • полупроводниковая промышленность (термоэлектрические модули и устройства отвода тепла, аналитическое оборудование, источники беспроводного питания, энергоэффективные системы утилизации бросового тепла, радиоэлектронные, лазерные и оптические системы, светодиоды (энергосберегающие технологии), IGBT-модули

Смотрите также