Керамические подложки на основе оксида бериллия (BeO)

Керамические подложки на основе оксида бериллия (BeO)

1643962072384.jpg

Оксид бериллия [BeO] обладает уникальной комбинацией тепловых, электрических, оптических и механических свойств, которые используются для широкого спектра применений: от систем теплового управления и интегрированной электроники до высокотемпературных огнеупорных компонентов и ядерных реакторов. У оксида бериллия нет аналогов среди оксидно-керамических материалов по теплопроводности.

Керамика на основе BeO обладает теплопроводностью, превышающей теплопроводность многих металлов, уступая только меди и серебру. При этом теплопроводность BeO в 10 раз выше, чем у Al2O3, и в 1,5 раза выше, чем у AlN.

Диэлектрическая постоянная ниже, чем у оксида и нитрида алюминия. В связи с чем, BeO является отличным изолятором с объемным сопротивлением порядка 1014...1018 Ом∙см, которое зависит от чистоты материала.

Помимо высокой теплостойкости, ВеО обладает отличной прочностью с высокими значениями удельной жесткости.

Керамика на основе оксида бериллия BeO выпускается согласно ТУ23.43. 10-008-34576770-2017 под торговыми марками ОБК-97 и ОБК-100.

Характеристики

Свойства

Материал

BeO

Цвет

белый

Объемная плотность

г/см3

≥ 2,85

Шероховатость шлифованной поверхности (Ra)

мкм

Шероховатость полированной поверхности (Ra)

мкм

-

Механические характеристики

Прочность на изгиб

МПа

≥ 180

Физические характеристики

Коэффициент теплового расширения (25-1000°C)

10 -6 /°C

7,0 ~ 8,5

Теплопроводность (25°C)

Вт/м∙°K

≥ 230

Удельная теплоемкость

Дж/кг*К

-

Сопротивление тепловому удару

С

800

Диэлектрическая прочность

 кВ/мм

≥ 18

Объемное сопротивление (25 С)

Ом∙см

≥ 1014

Диэлектрическая постоянная (1 МГц)

-

6,5 ~ 7,3

Диэлектрические потери (1МГц, 25°C)

∙10 -4

≤ 4

Технологические характеристики

DBC технология

-

Толстопленочная технология

-

Тонкопленочная технология

Новый проект (50).png


Область применения

Подложки на основе оксида бериллия, могут использоваться для следующих целей:

  • в качестве плат для радиотехнических устройств, работающих с СВЧ-излучением. Основание для изготовления «ламп бегущей волны»;
  • подложки для твердотельных излучателей;
  • создание интеграционных микросхем для рентгенотехнических устройств;
  • в качестве корпуса для нагревательных элементов;
  • подложка для датчиков ионизирующего излучения.

Смотрите также