Карбид кремния SiC

Карбид кремния SiC
SiC Карбид кремния
  • Верхнее описание

    Снимок.PNGКарбид кремния - материал обладающий высокой твердостью, стойкостью и способностью работать при повышенных температурах (до 600 С). Кроме того обладает высокой электрической прочностью и большой шириной запрещенной зоны (больше чем у чистого кремния). 

    Карбид кремния (SiC) применяется как для повышения износостойкости движущихся элементов, так и в качестве броне материала (бронежилеты, военная техника).

    В электронике карбид кремния применяется для изготовления варисторов и вентильных разрядников. 

  • Таблица характеристик

    Свойства

    Профиль SiC

    SiSiC (Reaction Bonded Silicon Carbide)

    SSiC (Direct Sintered Silicon Carbide

    Цвет

    черный

    черный

    Объемная плотность

    г/см3

    ≥ 3,02

    ≥ 3,10

    Прочность на изгиб

    МПа

    ≥ 250

    ≥ 400

    Модуль упругости

    ГПа

    ≥ 300

    ≥ 420

    Коэффициент теплового расширения

    10-6 /°C

    4,5

    4,1

    Теплопроводность

    Вт/м∙K

    45

    74

    Сопротивление тепловому удару

    °C

    400

    300

    Максимальная температура эксплуатации

    °C

    1380

    1600

  • Нижнее описание
    • детали, на которые воздействует ударная нагрузка.
Карбид кремния SiC
Нет в наличии