Керамические подложки на основе карбида кремния (SiC)
-
Верхнее описание
Карбид кремния - материал обладающий высокой твердостью, стойкостью и способностью работать при повышенных температурах (до 600 С). Кроме того обладает высокой электрической прочностью и большой шириной запрещенной зоны (больше чем у чистого кремния). Этот материал применяется как для повышения износостойкости движущихся элементов, так и в качестве броне материала.
-
Таблица характеристик
Свойства
Профиль SiC
SiSiC (Reaction Bonded Silicon Carbide)
SSiC (Direct Sintered Silicon Carbide
Цвет
черный
черный
Объемная плотность
г/см3
≥ 3,02
≥ 3,10
Прочность на изгиб
МПа
≥ 250
≥ 400
Модуль упругости
ГПа
≥ 300
≥ 420
Коэффициент теплового расширения
10-6 /°C
4,5
4,1
Теплопроводность
Вт/м∙K
45
74
Сопротивление тепловому удару
°C
400
300
Максимальная температура эксплуатации
°C
1380
1600
-
Нижнее описание
- высоковольтные диоды шотки;
- n-МОП ранзисторы;
- теристоры;
- создание светодиодов;
- броне пластины;
- создание упрочняющих и износостойких элементов;
- абразивные материалы.